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品牌
XDJ/興德晶
型號
2N65/MOS管
封裝
TO-251
批號
1899
FET類型
MOS
漏源電壓（Vdss）
650V
漏極電流(Id)
2A
漏源導通電阻(RDS On)
＜5Ω
柵源電壓(Vgs)
10V
柵極電荷(Qg)
15
反向恢復時間
2.45S
最大耗散功率
44W（mW）
配置類型
N溝道增強型
工作溫度范圍
-50~+150
安裝類型
直插式
是否跨境貨源
否
導電方式
增強型
種類
絕緣柵(MOSFET)
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廠家直供MOS場效應管2N65 TO-251 N溝道增強型650V 2A場效應MOS管
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價 格：免費咨詢行業專家- 最小采購量：個
- 聯系人姓名：劉慶營
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深圳市興德晶電子有限公司
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