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BFQ591參數
類別：NPN-硅通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管 集電極-發射極電壓VCEO：15V
集電極-基極電壓VCBO:20V
發射極-基極電壓VEBO:3.0V
集電極直流電流IC:200mA
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:2.25W
工作結溫Tj:150℃
貯存溫度Tstg:-65~150℃
封裝形式：SOT-89
功率特性：中功率
極性：NPN型
結構：擴散型
材料：硅(Si)
封裝材料：塑料封裝
電性能參數（TA=25℃）：
擊穿電壓:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
直流放大系數hFE:60～250 @VCE=8V,IC=70mA
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(較大值)
發射極-基極截止電流IEBO:100nA(較大值)
特征頻率fT:7.0GHz@ VCE=8V,IC=70mA
集電極允許電流IC：0.2（A）
集電極較大允許耗散功率PT：2.25（W）
插入功率增益∣S21∣：10dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
功率增益GUM：11dB@IC=8mA,VCE=70V,f=1GHz
反饋電容Cre：0.7 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。
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