應(yīng)用領(lǐng)域
DC斬波器裝置
牽引和大功率變頻傳動(dòng)
1SP0635V2M1-33 33 2BB0535T-33 www.hmelectron.com.cn 16 2SB315B-CM1200DC-34N 677
電力傳輸
HVIGBT性能特點(diǎn) 基板：有AlSiC和Cu兩種
額定電壓：1700V至6500V
額定電流：200A至2400A
絕緣電壓：4.0kVrms至10.2kVrms
N系列：CSTBTTM硅片工藝，進(jìn)一步降低損耗，縮小模塊體積
H系列：平板型IGBT硅片工藝，性已得到業(yè)界公認(rèn)
N系列B型：CSTBTTM硅片工藝，封裝可與H系列兼容
R系列：額定電流提升到1500A；封裝尺寸與 H 系列兼容；高短路魯棒性設(shè)計(jì)；運(yùn)行溫度范圍由-40~125°C 擴(kuò)大到-50~ 150° C；小存貯溫度由-40℃擴(kuò)展到-55℃。
續(xù)流二極管：采用軟恢復(fù)特，良好的EMI性能。
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高壓IGBT模塊
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- 1 2024-07-05 化車身鋁壓鑄件關(guān)鍵技鋼鋁開卷落料線項(xiàng)目術(shù)開發(fā)項(xiàng)目 7270.0萬0萬人人民幣
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