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AKE的HG106A砷化鎵線性霍爾效應IC采用電子遷移率比硅大5～6倍 的砷化鎵作為器件的半導體材料，而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”，原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有高頻、高溫、低溫性能 好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，這就使得使用該材料制作的霍爾線性器件具有更高的性和穩定性，更適合用于安全性、速度要求更高的領域（諸如安防、精 密設備制造等）。器件內部集成了電壓調整器，霍爾電壓發生器，線性放大器和射極跟隨器組。HG106A處于零磁場環境是輸出端靜電壓為零，當南極磁場靠近器件表面是，輸出靜電壓隨著磁場強度的增加而線性增加；反之，當南極磁場遠離器件表面時，輸出靜電壓隨著磁場強度的增加而線性遞減。
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![[HG106A霍爾]](https://china-bs-img.coovee.com/biginfopic/2014-9/02_15_45_44_109.jpg?x-image-process=style/210_210)
